原装二极管-ASEMI-MURF1640CT原装二极管

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摘要 : ⑶泄漏电流 它是指整流二极管在高反向工作电压下工作时，允许通过整流管的反向电流。反向电流越小，说明整流二极管的单向导电性能越好。 ⑷高工作频率 它是指整流二极管能

⑶泄漏电流 　它是指整流二极管在高反向工作电压下工作时，允许通过整流管的反向电流。反向电流越小，说明整流二极管的单向导电性能越好。

⑷高工作频率

它是指整流二极管能正常工作的高频率，选用时，必须使二极管的工作频率低于此值；如高于此值，整流二极管的单向导电性受影响。

（5）正向压降

它实际是半导体的电阻形成的，它在电路当中作为耗能元器，会消耗电路中的一部分功率，所以有一些电路设计当中为提升效率，往往选择正向压降更低的二极管

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摘要 : 在前面几期的ASEMI课堂中大家已经对低压降肖特基有了初步的认识，今天我们就来解析低压降全塑封SBT2060VFCT与半塑封SBT2060VCT封装。

相信通过前面几期的ASEMI课堂，大家都已经对低压降肖特基有了初步的认识。今天我们就来解析低压降全塑封SBT2060VFCT与半塑封SBT2060VCT封装差异与不同封装对低压降性能优势的发挥。

首先，一起来看一下这两款低压降肖特基二极管型号的封装差异，原装二极管，让我们首先来了解一下一下'CT'/'FCT'和“VCT”/“VFCT”的含义差别。

“CT”/“FCT”一般作为常规型肖特基二极管的封装标识，代表电性参数相同的不同封装形式，“FCT”代表全塑封封装，“CT”代表铁头封装。

“VCT”/“VFCT”则针对的是低压降肖特基二极管的封装标识，同样也是代表具有低压降技术的电性参数相同的不同封装形式，“VFCT”代表全塑封封装，“VCT”代表铁头封装。

常常会有工程或者采购朋友们咨询ASEMI的技术工程师，铁头跟塑封哪一种封装性能更突出，尤其在低压降肖特基二极管哪种能够将低压降低能耗的优势发挥到多大？不着急，接下来，就由ASEMI工程就为大家详细介绍这两款封装的区别及优点。

ASEMI低压降肖特基二极管SBT2060VFCT全塑封装绝缘性更好

我们经常所说采用塑封或者全塑封，就是指肖特基二极管内部框架、芯片、焊片等等电路全部被一体包封住，与外界隔绝。它所采用的材料是环氧树脂，MUR1640CT原装二极管，这种环氧材料具有非常好的抗热性，防氧化性及绝缘性都非常好。我们知道SBT2060VFCT应用领域多为电源高频整流环节，所以对安全性要求比较高，需要拥有很好绝缘性来避免电路短路等故障发生。正是这样，采用全塑封装的能有效避免内部电路与外界接触，MURF1640CT原装二极管，更好的保护电路安全。

ASEMI肖特基二极管SBT2060VCT铁头封装散热性表现更佳

这款肖特基二极管除了有采用为保障电路安全的全塑封装外，还有另外一种封装，那就是为解决散热性问题的铁头封装。采用铁头封装的型号打标方式为SBT2060VCT与全塑封装SBT2060VFCT相区别。这种封装能大幅提升电源的有效散热效率，针对发热严重或者对散热要求高的电路非常适用。

综上所述，就是ASEMI“CT”/“FCT”和“VCT”/“VFCT”的含义差别与性能优势，不知工程及采购朋友掌握了没有呢？仅供参考，希望对大家在以后应用货采购上有所帮助。期待下期再会。

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摘要 : 本节我们要讲的是i肖特基二极管和TVS二极管：

本节我们要讲的是i肖特基二极管和TVS二极管：

肖特基二极管(sBD) 肖特基二极管是肖特基势垒二极管(Sehottky Barrier Diode，简称SBD)的简称。足近年来生产 的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向***时问极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降 仅0.4 V左右，而整流电流却可达到几千安培，这些优良特性是快***二极管所无法比拟的。 肖特基二极管是用***(金、银、铝、铂等)为正极，以N型半导体为负极，利用二者接触面 上形成的势垒具有整流特性而制成的金属一半导体器件。 肖特基二极管通常用在高频、大电流、低电压整流电路中 瞬态电压***二极管（TVS） 瞬态电压***二极管简称T V P管(transient—voltage—suppressor)。它是在稳压管的工艺基础 上发展起来的一种半导体器件，主要应用于对电压的快速过压保护电路中。可广泛用于计算 机、电子仪表、通信设备、家用电器以及野外作业的机载／船用及汽车用电子设备，并可以作 为人为操作引起的过电压冲击或霄电对设备等保护元件。 瞬态电压***二极管按照其峰值脉冲功率可以分为四类：50()w、1000W、1500W、5000w。 每类按照其标称电压分为若干种。 瞬态电压***二极管在两端电压高于额定值时，会瞬间导通，两端电阻将以极高的速度从高阻 改变为低阻，从而吸收一个极大的电流，将管子两端的电压钳位在一个预定的数值上。

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