ASEMI(图)-FMB40M软桥-软桥

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ASEMI品牌新推出的快***软桥3A1000V

品牌：ASEMI

型号：FMB30M

产品类型：快***软桥

电流：3A

反向耐压：1000V

引脚数量：4

温度范围：-55~ 150℃

快充整流桥相比传统充电器，它的优势是： 充电，氮化的带隙比硅高得多，这意味着它可以随时间传导更高的电压。带隙较大也意味着电流可以比硅更快地流过GaN制成的芯片，从而可以更快地进行处理，充电也会更快。

一般的快***软桥体***时间是150ns，软桥，ASEMI-FMB30M快***软桥的***时间是15ns，ASEMI中国-强元芯电子总部设于广东省深圳市福田区华强北，工厂处于山东省青岛市，在***各地共设有5个***，

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ULBFR410是一款快***软桥，可应用于快充产品上。基本参数如下：

品牌：A***EI

型号：ULBFR410

种类：快***整流桥

封装：ULBF-4

芯片：快***芯片

正向电流：4A

反向耐压：1000V

温度：-55~ 150℃

应用范围：电源、充电器、适配器、大小家电等产品

快充整流桥体积小。氮化材料本身优异的性能，此外由于使用氮化芯片还减少了周边的其他元件的使用，电容、电感、线圈等被动件比硅基方案少得多，也进一步缩小了体积。

强元芯电子致力于显示器，FMB30M软桥，适配器，电源，电磁炉，DVD，通信PC等相关产业技术方案的推广和器件配套业务，并被越来越多的国内外企业所了解和熟识。

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快充电流原理：

AC220V市电经变压器T1，ULBFR810软桥，经D1-D4全波整流后，FMB40M软桥，供给充电电路工作。当输出端按正确极性接入设定的被充电瓶后，若整流输出脉动电压的每个半波峰值超过电瓶的输出电压，则可控硅SCR经Q的集电极电流触发导通，电流经可控硅给电瓶充电。脉动电压接近电瓶电压时，可控硅关断，停止充电。调节R4，可调节晶体管Q的导通电压，一般可将R4由大到小调整到Q导通能触发可控硅(导通)即可。图中发光管D5用作电源指示，而D6用作充电指示。