ULBFR410贴片桥堆-贴片桥堆-ASEMI(查看)

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软桥相比于普通桥堆来讲，主要优势是它可以改善低频传导特性 ，降低AC输入线杂散线路电感激励。

ULBFR510快***整流桥 5A1000V ASEMI品牌原装产品

产品型号：ULBFR510

正向电流（Io）: 5A

反向耐压（VRRM）：1000V

类型：贴片小桥

产品芯片：快***芯片

温度：-55℃~ 150℃

引脚：4只

ASEMI半导体大陆工厂拥有一支具有高水平研究开发和生产制造实践的人才团队。

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快充专用快***软桥ULBFR810，贴片迷你小桥

ASEMI品牌原装全新产品，型号ULBFR810， 正向电流8A，反向电压1000V， ULBF-4封装4个引脚，产品特性：迷你超薄体积占空间小。

快充技术原理-快速充电原理

电池核心仍是锂离子，贴片桥堆，大多数厂商走的，MSB310贴片桥堆，基本是“开源”和“节流”两条路——电池厂商努力提升能量密度加大容量，芯片厂商则在寻求低功耗方案，但这两者都是有上限的：前者手机便携性所限，后者是是技术限制。

型号：ULBFR810

品牌：ASEMI

封装：ULBFR-4

电性参数：8A 1000V

正向电流：8A

反向耐压：800~1000V

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MSB310_ASEMI快充专用贴片整流桥

型号：MSB310

品牌：ASEMI

封装：MSB-4

电性参数：3A 1000V

特性：贴片快充整流桥

芯片材质：快***芯片

产品描述：快***软桥/***整流桥

快充整流桥体积小。氮化材料本身优异的性能，使得做出来的氮化比传统硅基IGBT/MOSFET 等芯片面积更小，FMB40M贴片桥堆，同时由于更耐高压，大电流，氮化芯片功率密度更大，因此功率密度/面积远超硅基。此外由于使用氮化芯片还减少了周边的其他元件的使用，电容、电感、线圈等被动件比硅基方案少得多，也进一步缩小了体积。

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