手机快充桥堆-ASEMI-ABS210手机快充桥堆

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摘要 : 强元芯以12年的知识，DB207S手机快充桥堆，认为，常用整流桥可以按三个大思路来分类。 一：按封装尺寸分类：大概可以分为：方桥、扁桥和圆桥。如下图所示： 二：按电流大小分类：大致可分为

一：按封装尺寸分类：大概可以分为：方桥、扁桥和圆桥。如下图所示：

二：按电流大小分类：大致可分为1A-4A 50V~1000V小功率整流桥；6A~10A 50V~1000V 中等功率整流桥；15A~50A 50V~1000V大功率整流桥，如下图给大家列举下常见的几款给大家参考：

三：按应用领域分类：一类是应用在各种灯具上，这类比较有代表性的就是MB6S等；再一类就是各种小功率适配器，也就是我们常说的手机充电器，笔记本充电器等，这里以DB107，ABS10以及KBL406等为常用型号；再有一类就是用在各种家电如电视、空调、冰箱、电磁炉等的稍微大一些功率的以及一些大功率电源上，比较常用的型号有KBU808，KBJ3510等。如下图展示实物。

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导读：在电器中，总会出现静电放电的情况。所以为了产品的持久性，TT8M手机快充桥堆，所以要清楚了解它的规范与及危害。今天强元芯电子就与你一起学习如何避免这些危害！强元芯12年专注于电源领域，更是ASEMI品牌，品牌值得信赖。

强元芯ASEMI技术工程师告诉你，应该注意的危害有：

一、静电放电的危害

1、ESD造成元器件失效

当带电物体通过器件形成一个放电通路时或带电器件本身有一个放电通路时，就会产生ESD而造成器件的失效，失效模式有突发性完和潜在性缓慢失效。

（1）突发性失效：器件的芯片介质击穿或烧毁、一个或多个电参数突然劣化，失去规定功能的失效。通常表现为开路、短路、以及电参数严重漂移。概率约10%

（2）潜在性缓慢失效：器件受到ESD造成轻微损伤，器件的性能劣化或参数指标下降而成为隐患，使该电路在以后的工作中，参数劣化逐渐加重，终失效。

2、 ESD引起信息出错，导致设备故障

ESD会在设备各处产生一个幅值为几十伏的干扰脉冲，引起信息出错，导致设备的故障：ESD也可产生频带几百千赫～几十兆赫、电平高达几十毫伏的电磁脉冲干扰。当脉冲干扰耦合到电路时，也会引起信息出错，导致设备的故障。

强元芯电子有限公司，12年专注于电源领域，致力于半导体行业，坚持“客户至上”的经营理念，我们用心，只为让你放心。从心所愿，强悍出击，相信你的选择没有错。强元芯，期待与您携手前进、共创辉煌！

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摘要 : 薄整流桥B7，0.5A 1000V ASEMI半导体新产品知多少，本节为大家介绍一款整流桥B7

今天，ASEMI半导体给大家带来的是一款新产品——整流桥B7，它的参数与MB10F是一样的，下面我们先来看一下它的规格尺寸，

上图就是B7的实物图和它的规格参数，它是一款薄整流桥，体积小，是目前所能做作的小体积规格的整流桥，参数与

MB10F参数相同，手机快充桥堆，正向大整流0.8A，反向耐压1000V，如下图所示，与MB10F相比，它的体积小了近1/3，在LED电源当中，体积的缩小，意味着技术的提高，意味着，LED电源当中散热性能的提高，同样的空间，ABS210手机快充桥堆，减小体积在一定程度会提高整流桥本身的散热效率。

另外提一点，整流桥B7与整流桥UMB10F指的是同一款产品，因为这一款整流桥本身体积太小，印字无法打标，通常情况以B7代替

如果您对以上整流桥感兴趣或有疑问，请联系我们

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