8N60噪声低阻抗高-噪声低_阻抗高-ASEMI(查看)

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5、场效应管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大，而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b 值将减小很多。

6、场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。

7、场效应管和普通晶体三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但是场效应管制造工艺简单，并且又具有普通晶体三极管不能比拟的特性，8N65噪声低_阻抗高，在各种电路及应用中正逐步的取代普通晶体三极管，目前的大规模和大规模集成电路中，已经广泛的采用场效应管。

90N10/100N10-ASEMI_MOSFET管

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90N10/100N10-ASEMI_MOSFET管

MOS管驱动

跟双极性晶体管相比，普通以为使MOS管导通不需求电流，8N60噪声低_阻抗高，只需GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需求速度。在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，理论上就是对电容的充放电。对电容的充电需求一个电流，由于对电容充电瞬间可以把电容看成短路，8N80噪声低_阻抗高，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时要留意的是可提供瞬间短路电流的大小。第二留意的是，普遍用于驱动的NMOS，导通时需求是栅极电压大于源极电压。而驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。假设在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要特地的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要留意的是应该选择适合的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需求有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。往常也有导通电压更小的MOS管用在不同的范畴里，噪声低_阻抗高，但在12V汽车电子系统里，普通4V导通就够用了。

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6N60_mos管ASEMI供应厂商

FEATURE

6A，600V，R DS(ON) =1.2Ω@V GS =10V/3A

Low gate charge

Low C iss

Fast switching

***alanche tested

Improved dv/dt capability

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

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