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_mos管-ASEMI-8N80mos管

发布时间:2020-07-16 17:19:37        

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同步整流管和整流二极管

同步整流管SR及整流二极管构成的半波整流电路如图1(b)所示。当SR的门极驱动电压ug,与正弦波电源电压仍同步变化时,则负载R上得到的是与二极管整流电路相同的半波正弦波电压波形1fR。

同步整流管的源一漏极之间有寄生的体二极管,还有输出结电容(未画出),8N80_mos管,驱动信号加在门极和源极(G-S)之间,是一种可控的开关器件。皿关断时,电流仍然可以由体二极管流通。不过m体二极管的正向导通压降和反向***时间都比SBD大得多,因此,一旦电流流过SR的体二极管,则整流损耗将明显增加。

由于同步整流是由可控的三端半导体开关器件来实现的,因此必须要有符合一定时序关系的门极驱动信号去控制它,_mos管,使其像一个二极管一样地导通和关断。驱动方法对银的整体性能影响很大,因此,门极驱动信号往往是设计同步整流电路时必须要解决的首要问题。例如,SR开通过早或关断过晚,都可能造成短路,而开通过晚或关断过早又可能使SR的体二极管导通,使整流损耗和器件应力增大。












编辑-LL

普通整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有阳极和阴极两个端子。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿)。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用。


型号:SSR1013L

品牌:ASEMI

封装:220AB

特性:整流

电性参数:50A 110V

芯片材质:GPP

正向电流(Io):50A

芯片个数:

正向电压(VF):

芯片尺寸:

浪涌电流If***:

漏电流(Ir):

工作温度:-40~ 150

***时间(Trr):10ns

引线数量:3






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90N10/100N10-MOS开关管ASEMI品质MOSFET管

损失不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,12N65_mos管,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。往常的小功率MOS管导通电阻普通在几十毫欧左右,几毫欧的也有。MOS在导通和截止的时分,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个降落的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大。导通瞬间电压和电流的乘积很大,构成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。mos管








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