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MBR10100FCT

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摘要 : 金属溢价对半导体行业的影响如何？MBR10100FCT未来一周价格走势是怎样的呢？ASEMI销售工程师详解，欢迎咨询，非诚勿扰。

2016年半导体产业原材料多有上涨，铜材料、芯片两个大宗因为产量降低、需求拔高而出现大面积缺货。此前，SS54CL贴片肖特基二极管，元器件缺货如此严重的还是2006年。2017年季度的12英寸晶圆预计价格要增长10-20%！ASEMI全系列肖特基二极管均采用99%纯度无氧铜作为引脚材料，未来的价格变化是怎样的，原因又会是因为什么呢？今天就以肖特基二极管MBR10100FCT为例为大家介绍一下。

下图为MBR10100FCT产品详情高清大图：

一、MBR10100FCT封装外观与尺寸规格

ASEMI半导体常用肖特基二极管封装有TO-220，TO-247/3P，TO-263，TO-251/TO-252等，MBR10100FCT是的封装方式为TO-220封装，下面所示为TO-220封装产品外图与尺寸图，从这一图片当中我们可以很直观的看到MBR10100FCT的实物照片，与实际尺寸。

其参数如下，下图中我们可以清楚明白的了解这一款产品

二、MBR10100FCT肖特基二极管芯片技术与参数规格讲解

目前，SS1060贴片肖特基二极管，对于中小电流，击穿电压低于1600伏的硅功率二极管，市场上常用的切割图形为正方形，其次是正六边形；市场价格较高且性能要求及可靠性高的产品，则设计为圆形图形。

肖特基二极管MBR10100FCT，其中MBR是肖特基的表示方式，10表示的是正向整流10A，而150表示的是反向耐压为150V，其中F表示的是全塑封封装；CT表示的是共阴，即内部两个芯片是共阴连接。绝大多数肖特基二极管的内部连接的芯片都是密封保护，一般人无法“得见天颜”。

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摘要 : ASEMI快***二极管采用的是与肖特基相同的结构框架，其芯片采用的是与米克朗类似的设计，并根据快***二极管特性加以优化，使其性能更加优良

ASEMI半导体快***二极管芯片解读：

ASEMI快***二极管采用的是与肖特基相同的结构框架，其芯片采用的是与米克朗类似的设计，并根据快***二极管特性加以优化，***CJ58A贴片肖特基二极管，使其性能更加优良：

ASEMI半导体快***芯片

ASEMI快***因采用了与肖特基类似的生产工艺，所以这里就不多做其芯片稳定性与散热性的叙述，ASEMI快***在优化方面做的主要是芯片压降上的考虑，在设计之初，考虑到快***有着整流桥和肖特基的一部分特性，因此为了大程度的发挥其两方面的优势，在压降方面作调整，使得ASEMI快***二极管可以更好的应用于整流桥和肖特基所不适合的领域，但在后期使之压降降低，减少电器在此方面的消耗，贴片肖特基二极管，通过这一设计的施行，同时解决了发热和耐高温两个很重要的因素，使产品的寿命增加，提高了产品的使用率

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摘要 : ASEMI快***与普通整流二极管的区别在哪？ 普通整流二极管(如1N系列)的工作频率较低，在3kHz以下，当工作于较高频率时，其正反向电压变化的时间慢于***时间，以胆机制造为例，因

ASEMI快***与普通整流二极管的区别在哪？

普通整流二极管(如1N系列)的工作频率较低，在3kHz以下，当工作于较高频率时，其正反向电压变化的时间慢于***时间，以胆机制造为例，因为其声音的频率范围是20Hz～20kHz，所以有许多工程师认为低频二极管整流，对胆机的音色发挥有不利的影响，采用快***二极管整流是一个不错的选择。

ASEMI快***二极管选项必须了解的两大重要参数

ASEMI品牌快***二极管参数两个方面：开关性能行业标准，被众多电源电器厂商认可，而反向***时间短，尤其ASEMI工厂生产的快***，反向***时间仅为35ns，尤为突出这一点特别适合高频率整流。

ASEMI工程师解释反向***时间定义：从电物理现象来解释，导通状态向截止状态转变时，二极管在阻断反向电流之前需要首先释放上个周期存储的电荷，这个放电时间被称为反向***时间，反向***时间实际上是由电荷存储效应引起的．反向***时间就是存储电荷耗尽所需要的时间。

ASEMI品牌快***二极管的种类繁多，在胆机整流中可根据电路的需要选择，由于晶体管和电子管不同，过载能力低，选择时要考虑留出较大的电流、电压富裕量，提高可靠性，而ASEMI工厂12年快***生产厂家，供应全系列快***产品，整流电流由5A-30A，反向耐压200V-600V，采用冠魁生产设备，健鼎一体化测试保证产品合格，

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