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PL3330 包含功率管开启和关断的消隐功能。当功率 管开启后，PL1167触摸芯片，会至少保持约 TON_MIN；当功率管断开后， 会至少保持约 TOFF_MIN。保证无论开关，功率管都 会持续一段时间，减少受干扰的可能。TON_MIN 和 TOFF_MIN的典型值分别为 650ns 和 1.9us。

9.2 系统上电

PL3330内部集成VDD 检测电路，系统上电完成前， 功率管一直处于断开状态，副边电流流过功率 MOS 的体二极管，直到 VDD 端电压超过芯片的启动阈 值电压时，芯片开始正常工作。

同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。

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PL3369B 为小功率的充电器/适配器应用提供了很 有效的解决方案，其新颖的恒流/恒压控制使得系统 不需要次级反馈电路，并能实现高精度的恒流/恒压 输出，PL1167，从而满足更严格的能源损耗要求。

PL3369B 内置了多种保护功能，包括：逐周期限流 保护，PL1167电源IC厂家，VDD 过压/欠压保护，输出开/短路保护，手机快充芯片PL1167，过 温保护等。 当 PL3369B 的 VDD 电压下降到 UVLO(ON)，芯片 将不工作，同时会进入重启状态。

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PL3327B 是一系列***率、高集成度、原边调节的 PWM 功率开关，其主要应用于小于 18W 的 AC/DC 反激式开关电 源。PL3327B 通过去除光耦以及次级控制电路，简化了充 电器/适配器等传统的恒流/恒压的设计，从而实现高精度的 电压和电流调节，调节波形如下图 1 所示。

复合模式的应用使得芯片能够实现低静态功耗、低音频噪 音、***率。而且高集成的功率 MOSFET 能够降低外部 PCB 的面积以及系统的成本。 PL3327B 同时具有多种保护功能：逐周期峰值电流检测、欠 压保护、过压保护等。

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