手机快充芯片-ASEMI-PL3394AE手机快充芯片

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PL3323BS 具有低的启动电流

因而可以采用大 的启动电阻以及小的 VDD 电容以降低应用中的 功率损耗。 PL3323BS 的工作电流小至 1mA，再加上特有的 复合模式控制，从而提高了系统的效率，特别是 系统处于轻载条件下。

9.2VDD 欠压保护

PL3323BS内部集成VDD检测电路，系统上电后， 当 VDD 端电压超过芯片的阈值电压时，PL3115B手机快充芯片，芯片开 始工作并输出 PWM 信号，进而驱动功率 MOS 管。为了防止 VDD 上升过程中抖动对芯片的影 响，内部设置了阈值迟滞。芯片的上升阈值和下 降阈值典型值为 16V 和 8V。

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PL3378 内置了多种保护功能，PL3394AE手机快充芯片，包括：逐周期限流保 护，VDD 过压/欠压保护，输出开/短路保护，过温 保护等。 当 PL3378 的 VDD 电压下降到 UVLO(ON)，芯片将 不工作，同时会进入重启状态。

内置输出线补偿用来得到更好的负载调整率。 在没有输出线补偿时，PL3332手机快充芯片，线电阻引入压差造成空载和 满载时输出端电压不同。为提高负载调节率，芯片 在 FB 电阻上增加一个偏置电流，并通过功率管关 断时间大小调整此偏压大小，从而令输出电压在不 同负载状态时可保持恒定。 不同的应用中，通过调节连接于 FB 端的分压电阻 可得到不同的线补偿量，FB 端的分压电阻越大，那 么补偿量也越大。

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PL3322B 内部集成 VDD 检测电路，系统上电后， 当 VDD 端电压超过芯片的阈值电压时，芯片开 始工作并输出 PWM 信号，进而驱动功率 MOS 管。为了防止 VDD 上升过程中抖动对芯片的影 响，内部设置了阈值迟滞。芯片的上升阈值和下 降阈值典型值为 16V 和 8V。

9.3 恒压/恒流调节 恒压/恒流的调节主要是基于系统工作在 DCM 模 式。 工作于 DCM 模式的反激式开关电源，可以通过 辅助绕组来采样输出电压。功率管导通时，手机快充芯片，原边 电流逐步增加，功率管关闭后，原边电流传输到

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